Samsung ընկերությունը ներկայացրել է Exynos 9 Series 8895 հզորագույն պրոցեսորը, որը ստեղծվել է FinFET 10 նանոմետրային տեխնոլոգիաների հիման վրա` 3D անցումային կառուցվածքով:
Ինչպես ներկայացնում է Корреспондент-ը, հարավկորեական արտադրողի նորագույն պրոցեսորում կիրառված տեխնոլոգիան կիրառվել է նաև մեկ այլ առաջադեմ պրոցեսորում` Qualcomm-ի Snapdragon 835 սարքում, որը ևս մշակվել է Samsung-ի մասնակցությամբ:
Ենթադրվում է, որ հենց այս պրոցեսորն է լինելու Samsung-ի նորագույն Galaxy S8 շարքի սմարթֆոնների հիմքում, որը պետք է ներկայացվի այս տարվա ապրիլին:
Հաղորդվում է, որ պրոցեսորը թույլ է տալիս տվյալներ ներբեռնել 1 Գբիթ/վայրկյան արագությամբ, իսկ փոխանցումը ցանցին` 150 Մբիթ/վայրկյան արագությամբ:
Exynos 9 Series 8895 պրոցեսորը պետք է նախորդ մոդելից 27 տոկոսով ավելի արդյունավետ լինի և 40 տոկոսով ավելի քիչ էներգիա ծախսի:
